IXTY08N100P
- 型號描述:
- MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
- 型號:
- IXTY08N100P
- 品牌:
- IXYS
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 70
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$151.3232 |
| 70+ | NT$75.992 |
| 560+ | NT$64.7584 |
| 1050+ | NT$54.1856 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$151.3232
數量:
合計: NT$151
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 800mA (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 20Ohm @ 500mA, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 42W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 50µA
- Supplier Device Package
- TO-252AA
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1000 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 11.3 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 240 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
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