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IMTA65R033M2HXTMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
型號:
IMTA65R033M2HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000
1+NT$304.2984
10+NT$226.324
100+NT$188.6584
500+NT$169.1648
2000+NT$143.3936
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$304.2984 數量:

合計: NT$304

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 27.9A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1214 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
315W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-LHSOF-4-1
Package / Case
4-PowerLSFN
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