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UJ3C065080K3S

型號描述:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
型號:
UJ3C065080K3S
品牌:
onsemi
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$387.9855
30+NT$231.9216
120+NT$197.6982
510+NT$185.409
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$387.9855 數量:

合計: NT$388

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
111mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
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