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UF3C120080B7S

型號描述:
N-Channel 1200 V 28.8A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
型號:
UF3C120080B7S
品牌:
onsemi
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
800+NT$338.1998
起訂量：800 倍增量：1
價格: NT$338.1998 數量:

合計: NT$270560

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
754 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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