- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 9.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.9mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 18.2 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1113 pF @ 15 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- 8-WDFN (3.3x3.3)
- Package / Case
- 8-PowerWDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
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- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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