NTH4L060N090SC1
- 型號描述:
-
N-Channel 900 V 46A (Tc) 221W (Tc) Through Hole TO-247-4L
- 型號:
- NTH4L060N090SC1
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$1097.983 |
| 5+ | NT$996.631 |
| 10+ | NT$920.616 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$1097.983
數量:
合計: NT$1098
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 900 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 46A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 43mOhm @ 20A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.3V @ 5mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 87 nC @ 15 V
- Vgs (Max)
- +22V, -8V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1770 pF @ 450 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 221W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247-4L
- Package / Case
- TO-247-4
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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