- Part Status
- Active
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 900V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 9.8A (Ta), 112A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 28mOhm @ 60A, 15V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.3V @ 20mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 200nC @ 15V
- Vgs (Max)
- +19V, -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 4415pF @ 450V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 3.7W (Ta), 477W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- D2PAK-7
- Package / Case
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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- 熱銷產品
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