NJL1302DG
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264-5
- 型號:
- NJL1302DG
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 25
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 25+ | NT$245.371 |
| 100+ | NT$217.995 |
| 250+ | NT$215.967 |
| 500+ | NT$182.508 |
| 1000+ | NT$174.396 |
| 2500+ | NT$173.889 |
| 5000+ | NT$173.382 |
| 7500+ | NT$172.875 |
起訂量：25
倍增量：1
價格:
NT$245.371
數量:
合計: NT$6134
- Transistor Type
- PNP + Diode (Isolated)
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 15 A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 260 V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 3V @ 1A, 10A
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 50µA (ICBO)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 75 @ 5A, 5V
- Power - Max
- 200 W
- Frequency - Transition
- 30MHz
- Operating Temperature
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-264-5
- Supplier Device Package
- TO-264-5
- 精選品牌
- 熱銷產品
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