MBT35200MT1G
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSOP
雙極結晶體管 - BJT Low Saturation
- 型號:
- MBT35200MT1G
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- Transistor Type
- PNP
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 2 A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 35 V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 310mV @ 20mA, 2A
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 100nA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 100 @ 1.5A, 1.5V
- Power - Max
- 625 mW
- Frequency - Transition
- 100MHz
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Supplier Device Package
- 6-TSOP
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