FQAF10N80
- 型號描述:
-
N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
- 型號:
- FQAF10N80
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-3P-3 Full Pack
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 6.7A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.05Ohm @ 3.35A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 113W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-3PF
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 800 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 71 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2700 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
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