FQA10N80C-F109
- 型號描述:
-
N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
- 型號:
- FQA10N80C-F109
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-3P-3, SC-65-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 10A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.1Ohm @ 5A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 240W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-3P
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 800 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 58 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2800 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
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