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| 2500+ | NT$48.038 |
| 5000+ | NT$47.476 |
| 7500+ | NT$46.914 |
起訂量：2500
倍增量：1
價格:
NT$48.038
數量:
合計: NT$120095
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- N and P-Channel
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 4.5A, 3.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 55mOhm @ 4.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 18nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
- Power - Max
- 1W
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Supplier Device Package
- 8-SOIC
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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- 4922R-08L
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- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
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- RC0402FR-0736K5P
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- RG2012P-101-B-T5
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