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FDP3632

型號描述:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
型號:
FDP3632
品牌:
onsemi
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
50
1+NT$188.107
10+NT$102.024
100+NT$86.437
500+NT$71.913
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$188.107 數量:

合計: NT$188

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
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