FDMS86101
- 型號描述:
- MOSFET 100/20V Nch Power Trench
- 型號:
- FDMS86101
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$87.1479 |
| 10+ | NT$61.4376 |
| 100+ | NT$40.7358 |
| 500+ | NT$35.3934 |
| 3000+ | NT$30.3181 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$87.1479
數量:
合計: NT$87
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 12.4A (Ta), 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 8mOhm @ 13A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 55 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3000 pF @ 50 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2.5W (Ta), 104W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- 8-PQFN (5x6)
- Package / Case
- 8-PowerTDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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