- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 3000+ | NT$30.059 |
| 6000+ | NT$29.778 |
| 9000+ | NT$29.497 |
| 15000+ | NT$28.935 |
起訂量：3000
倍增量：1
價格:
NT$30.059
數量:
合計: NT$90177
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- N and P-Channel
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 3.7A, 3.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 340pF @ 10V
- Power - Max
- 700mW
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 6-VDFN Exposed Pad
- Supplier Device Package
- 6-MicroFET (2x2)
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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