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FDI045N10A-F102

型號描述:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
型號:
FDI045N10A-F102
品牌:
onsemi
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
50
1+NT$188.107
10+NT$98.482
100+NT$89.271
500+NT$88.917
1000+NT$80.06
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$188.107 數量:

合計: NT$188

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
263W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
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