FCP11N60F
- 型號描述:
-
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
MOSFET 600V NCH MOSFET
- 型號:
- FCP11N60F
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 50
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$156.933 |
| 10+ | NT$81.123 |
| 100+ | NT$73.33 |
| 500+ | NT$66.599 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$156.933
數量:
合計: NT$157
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 380mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 52 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1490 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 125W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-220-3
- Package / Case
- TO-220-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
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