BD682G
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
Darlington 電晶體 4A 100V 40W PNP
- 型號:
- BD682G
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 500
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$61.285 |
| 10+ | NT$38.968 |
| 100+ | NT$25.86 |
| 500+ | NT$20.299 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$61.285
數量:
合計: NT$61
- Transistor Type
- PNP - Darlington
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 4 A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 100 V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 2.5V @ 30mA, 1.5A
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 500µA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 750 @ 1.5A, 3V
- Power - Max
- 40 W
- Frequency - Transition
- -
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-225AA, TO-126-3
- Supplier Device Package
- TO-126
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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