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SUP70060E-GE3

型號描述:
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
型號:
SUP70060E-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$106.629
50+NT$52.705
100+NT$47.47
500+NT$38.286
1000+NT$35.334
2000+NT$32.852
5000+NT$30.169
10000+NT$29.713
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$106.629 數量:

合計: NT$107

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
131A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3330 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
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