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SUG90090E-GE3

型號描述:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
型號:
SUG90090E-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$181.632
25+NT$104.777
100+NT$86.428
500+NT$71.736
1000+NT$67.79
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$181.632 數量:

合計: NT$182

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5220 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
395W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
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