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SUD35N10-26P-GE3

型號描述:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
型號:
SUD35N10-26P-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000
1+NT$89.1513
10+NT$62.1054
100+NT$43.407
500+NT$36.0612
2000+NT$31.4868
10000+NT$29.283
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$89.1513 數量:

合計: NT$89

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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