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首頁 > Vishay Semiconductors代理商 > SIJH5800E-T1-GE3
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SIJH5800E-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK? 8 x 8
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
型號:
SIJH5800E-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000
1+NT$251.194
10+NT$169.697
100+NT$127.008
2000+NT$119.952
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$251.194 數量:

合計: NT$251

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 302A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7730 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Package / Case
PowerPAK® 8 x 8
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