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SIHW30N60E-GE3

型號描述:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
型號:
SIHW30N60E-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$261.633
10+NT$177.375
100+NT$129.724
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$261.633 數量:

合計: NT$262

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
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