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SIHP22N60E-E3

型號描述:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
型號:
SIHP22N60E-E3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$170.302
10+NT$113.065
100+NT$80.529
500+NT$66.65
1000+NT$62.232
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$170.302 數量:

合計: NT$170

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
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