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SIHLR110TR-GE3

型號描述:
N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
型號:
SIHLR110TR-GE3
品牌:
Vishay
交期:
6-9工作天
原廠包裝量:
2000
2000+NT$10.671
4000+NT$10.576
6000+NT$10.559
10000+NT$10.464
20000+NT$10.351
50000+NT$10.15
起訂量：2000 倍增量：1
價格: NT$10.671 數量:

合計: NT$21342

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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