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SIHG80N60EF-GE3

型號描述:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
型號:
SIHG80N60EF-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$568.2443
25+NT$358.6359
100+NT$308.8948
500+NT$304.1655
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$568.2443 數量:

合計: NT$568

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
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