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SIHG190N65E-GE3

型號描述:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
MOSFET N-CHANNEL 650V
型號:
SIHG190N65E-GE3
品牌:
Vishay
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
500
1+NT$175.298
10+NT$116.531
100+NT$96.163
500+NT$81.472
1000+NT$71.455
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$175.298 數量:

合計: NT$175

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1155 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
179W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
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