SIHD4N80ET5-GE3
- 型號描述:
-
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
N-CHANNEL 800V
- 型號:
- SIHD4N80ET5-GE3
- 品牌:
- Vishay Siliconix
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 3000+ | NT$31.505 |
| 6000+ | NT$30.852 |
| 9000+ | NT$30.524 |
起訂量：3000
倍增量：1
價格:
NT$31.505
數量:
合計: NT$94515
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 800 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 4.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.27Ohm @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 32 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 622 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 69W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- TO-252AA
- Package / Case
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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