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SIHD12N50E-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
N-CHANNEL 500V
型號:
SIHD12N50E-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000+NT$28.0091
4000+NT$27.3513
6000+NT$27.022
10000+NT$26.657
起訂量：2000 倍增量：1
價格: NT$28.0091 數量:

合計: NT$56018

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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