SIDR610EP-T1-RE3
- 型號描述:
-
N-Channel 200 V 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8DC
MOSFET SOT669 200V 39.6A N-CH MOSFET
- 型號:
- SIDR610EP-T1-RE3
- 品牌:
- Vishay
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$178.188 |
| 10+ | NT$117.965 |
| 100+ | NT$83.957 |
| 500+ | NT$73.33 |
| 3000+ | NT$68.37 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$178.188
數量:
合計: NT$178
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 7.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 31.9mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 38 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1380 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 7.5W (Ta), 150W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PowerPAK® SO-8DC
- Package / Case
- PowerPAK® SO-8
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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