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SIDR5802EP-T1-RE3

型號描述:
N-Channel 80 V 34.2A (Ta), 153A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8DC
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
型號:
SIDR5802EP-T1-RE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$39.829
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$39.829 數量:

合計: NT$119487

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
34.2A (Ta), 153A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8DC
Package / Case
PowerPAK® SO-8
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