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SI7898DP-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK? SO-8
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
型號:
SI7898DP-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$33.597
6000+NT$31.882
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$33.597 數量:

合計: NT$100791

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
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