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首頁 > Vishay Semiconductors代理商 > SI3460BDV-T1-E3
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SI3460BDV-T1-E3

型號描述:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
MOSFET 20V 8.0A 3.5W
型號:
SI3460BDV-T1-E3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$43.479
10+NT$27.436
100+NT$22.953
1000+NT$15.909
3000+NT$11.19
6000+NT$11.089
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$43.479 數量:

合計: NT$43

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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