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SI2387DS-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET SOT23 P-CH 80V 2.1A
型號:
SI2387DS-T1-GE3
品牌:
Vishay / Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$36.842
10+NT$26.25
100+NT$17.217
500+NT$12.966
1000+NT$10.875
3000+NT$8.502
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$36.842 數量:

合計: NT$37

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
164mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
395 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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