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SI2318CDS-T1-GE3
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SI2318CDS-T1-GE3

型號描述:
SI2318CDS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.6 A; 40 V; 3-Pin SOT-23
SI2318CDS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.6 A; 40 V; 3-Pin SOT-23
型號:
SI2318CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
交期:
7-10工作天
原廠包裝量:
3+NT$11.6789
25+NT$8.1668
100+NT$7.2359
500+NT$6.4742
3000+NT$6.051
起訂量：3倍增量：1
價格:NT$11.6789數量:

合計:NT$35

Series
TrenchFET®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Part Number
SI2318
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