SI2308BDS-T1-GE3
- 型號描述:
- MOSFET; N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 192mohm; Id 2.3A; SOT-23; Pd 1.66W
MOSFET; N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 192mohm; Id 2.3A; SOT-23; Pd 1.66W
- 型號:
- SI2308BDS-T1-GE3
- 品牌:
- Vishay
- 交期:
- 10-15工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 3000+ | NT$7.9369 |
| 6000+ | NT$7.7931 |
| 9000+ | NT$7.6487 |
| 12000+ | NT$7.4319 |
起訂量：3000倍增量：1
價格:NT$7.9369數量:
合計:NT$23811
- Drain to Source Voltage (Vds)
- 60.0 V
- 環保標示
- Compliant
- REACH SVHC Compliance
- No SVHC
- Power Dissipation
- 1.09 W
- Polarity
- N-Channel
- Number of Pins
- 3
- Packaging
- Cut Tape (CT)
- Operating Temperature
- -55.0 °C to 150 °C
- Mounting Style
- Surface Mount
- Lead-Free Status
- Lead Free
- Continuous Drain Current (Ids)
- 2.30 A
- 精選品牌
- 熱銷產品
- 9019050000
- ADL8142ACPZN
- CRCW060368K0FKEA
- NTMC083NP10M5L
- RNCF0402BTE40K0
- ATS100B-E
- 1MIC 3M265X TF SHEET 8.5X11"
- BM09B-XASS-TF
- 1703278-2
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- K12SBL GN0 1.5 9NO LFTX
- J104A2C48VDC.40S
- RC1206FR-10680RL
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