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SI1016X-T1-GE3
影像僅供參考，以產品規格為準

SI1016X-T1-GE3

型號描述:
MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
型號:
SI1016X-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+¥3.864
10+¥3.3096
100+¥2.4696
500+¥1.9404
1000+¥1.5792
3000+¥1.5708
6000+¥1.512
9000+¥1.4952
起訂量：1倍增量：1
價格:¥3.864數量:

合計:¥3.86

Series
TrenchFET®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
250mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
SC-89-6
Base Part Number
SI1016
  • 精選品牌
    • Samsung
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