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IRFBF20LPBF

型號描述:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
型號:
IRFBF20LPBF
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$109.872
10+NT$71.3481
100+NT$49.4973
500+NT$40.1541
1000+NT$37.1522
2000+NT$34.6286
5000+NT$34.2921
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$109.872 數量:

合計: NT$110

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
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