IRF610PBF-BE3
- 型號描述:
-
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
- 型號:
- IRF610PBF-BE3
- 品牌:
- Vishay Siliconix
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$73.1336 |
| 50+ | NT$35.4337 |
| 100+ | NT$31.753 |
| 500+ | NT$25.2891 |
| 1000+ | NT$23.2111 |
| 2000+ | NT$21.4638 |
| 5000+ | NT$19.6997 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$73.1336
數量:
合計: NT$73
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 3.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.5Ohm @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 8.2 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 140 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 36W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-220AB
- Package / Case
- TO-220-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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