2N6661JTVP02
- 型號描述:
-
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
- 型號:
- 2N6661JTVP02
- 品牌:
- Vishay Siliconix
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 90 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 860mA (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4Ohm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 1mA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 50 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- Military
- Qualification
- MIL-PRF-19500
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-39
- Package / Case
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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