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SIHP100N65E-GE3

型號描述:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
型號:
SIHP100N65E-GE3
品牌:
VISHAY
交期:
10-15工作天
原廠包裝量:
50
50+NT$395.8255
100+NT$372.7732
150+NT$349.7208
200+NT$316.5479
250+NT$304.7406
起訂量：50 倍增量：1
價格: NT$395.8255 數量:

合計: NT$19791

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2137 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
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