SIHG28N65EF-GE3
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
- 型號:
- SIHG28N65EF-GE3
- 品牌:
- VISHAY
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$359.051 |
| 10+ | NT$302.205 |
| 100+ | NT$262.044 |
| 500+ | NT$214.322 |
| 1000+ | NT$166.599 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$359.051
數量:
合計: NT$359
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 117mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 146 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3249 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 250W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247AC
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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- M24308/3-2F
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