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TPN2R903PL,L1Q

型號描述:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
型號:
TPN2R903PL,L1Q
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$41.545
10+NT$26.026
100+NT$17.14
500+NT$13.316
1000+NT$12.084
2000+NT$11.048
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$41.545 數量:

合計: NT$42

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
630mW (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Package / Case
8-PowerVDFN
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