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TPN1200APL,L1Q

型號描述:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
型號:
TPN1200APL,L1Q
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
5000+NT$9.902
10000+NT$9.27
起訂量：5000 倍增量：1
價格: NT$9.902 數量:

合計: NT$49510

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1855 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Package / Case
8-PowerVDFN
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