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TK8R2A06PL,S4X

型號描述:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
型號:
TK8R2A06PL,S4X
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$90.221
50+NT$44.023
100+NT$39.527
500+NT$31.634
1000+NT$29.097
2000+NT$26.964
5000+NT$24.656
10000+NT$23.621
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$90.221 數量:

合計: NT$90

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
36W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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