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TK2R9E10PL,S1X

型號描述:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 306W (Tc) Through Hole TO-220
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
型號:
TK2R9E10PL,S1X
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$138.173
50+NT$69.839
100+NT$63.208
500+NT$51.58
1000+NT$47.845
2000+NT$44.706
5000+NT$42.313
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$138.173 數量:

合計: NT$138

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9500 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
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