TK090N65Z,S1F
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 30A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
- 型號:
- TK090N65Z,S1F
- 品牌:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$311.51 |
| 30+ | NT$181.341 |
| 120+ | NT$152.703 |
| 510+ | NT$131.726 |
| 1020+ | NT$125.83 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$311.51
數量:
合計: NT$312
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 30A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 90mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 1.27mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 47 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2780 pF @ 300 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 230W (Tc)
- Operating Temperature
- 150°C
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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- M24308/3-2F
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