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GT50JR22(STA1,E,S)

型號描述:
IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N)
IGBT 600V 50A TO-3P
型號:
GT50JR22(STA1,E,S)
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$224.551
25+NT$131.915
100+NT$109.817
500+NT$93.777
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$224.551 數量:

合計: NT$225

IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 50A
Power - Max
230 W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P(N)
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