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2SJ380(F)

型號描述:
P-Channel 100 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
型號:
2SJ380(F)
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
50+NT$51.537
起訂量：50 倍增量：1
價格: NT$51.537 數量:

合計: NT$2577

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220NIS
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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