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2SA1312GRTE85LF

型號描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
型號:
2SA1312GRTE85LF
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$2.164
6000+NT$1.947
9000+NT$1.837
15000+NT$1.712
21000+NT$1.639
30000+NT$1.567
75000+NT$1.41
150000+NT$1.313
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$2.164 數量:

合計: NT$6492

Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Power - Max
150 mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
S-Mini
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